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原子沉積系統(tǒng)的這些特點(diǎn)便利了眾多行業(yè)

更新時(shí)間:2021-10-11      點(diǎn)擊次數(shù):1385
  原子沉積系統(tǒng)是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種,化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止,適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的較佳工具。
 
  原子沉積系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括:
 
  1.可以通過(guò)控制反應(yīng)周期數(shù)簡(jiǎn)單準(zhǔn)確地控制薄膜的厚度,形成達(dá)到原子層厚度精度的薄膜
 
  2.不需要控制反應(yīng)物流量的均一性
 
  3.前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜
 
  4.可生成較好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜,作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層
 
  5.可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物
 
  6.薄膜生長(zhǎng)可在低溫(室溫到400oC)下進(jìn)行
 
  7. 可廣泛適用于各種形狀的襯底。原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,而生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。目前可以沉積的材料包括:
 
  氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, Y2O3, CeO2, Sc2O3, Er2O3, V2O5, SiO2, In2O3;
 
  氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN;
 
  氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2;
 
  金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni;
 
  碳化物: TiC, NbC, TaC;
 
  復(fù)合結(jié)構(gòu): AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx;
 
  硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS;
 
  納米薄層: HfO2/Ta2O5, TiO2/Ta2O5, TiO2/Al2O3, ZnS/Al2O3, ATO (AlTiO)。
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